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SI4618DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.98W, 4.16W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A, 15.2A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI4611DY SI Spezialisierte heiße ICs 1
SI4613-A10-AM Energy Micro (Silicon Labs) RF-Empfänger 2573
SI4613-A10-AM Silicon Labs RF-Empfänger
SI4613-A10-AMR Energy Micro (Silicon Labs) RF-Empfänger 2630
SI4613-A10-AMR Silicon Labs RF-Empfänger
SI4613-A10-GM Energy Micro (Silicon Labs) RF-Empfänger 2687
SI4613-A10-GM Silicon Labs RF-Empfänger
SI4613-A10-GMR Energy Micro (Silicon Labs) RF-Empfänger 2271
SI4613-A10-GMR Silicon Labs RF-Empfänger
SI4614-A10-AM Energy Micro (Silicon Labs) RF-Empfänger 2696

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SI4618DY-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI4618DY-T1-GE3 Referenzpreis. SI4618DY-T1-GE3 Parameter, SI4618DY-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4618DY-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4618DY-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4618DY-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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