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SI4992EY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.4W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 4.8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
SI4992EY-T1-GE3 Unterlagen
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SI4992EY | VIS | Spezialisierte heiße ICs | 755 |
SI4992EY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 398 |
SI4992EY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 21418 |
SI4992EY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistor Arrays | |
SI4992EY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 3035 |
SI4992EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistor Arrays |
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SI4992EY-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI4992EY-T1-GE3 Referenzpreis. SI4992EY-T1-GE3 Parameter, SI4992EY-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4992EY-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4992EY-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4992EY-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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