SI5406DC-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 1.2mA (Min)
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Ta)
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