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SI5975DC-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 1mA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI5975DC-T1 SOT23-8 Spezialisierte heiße ICs 71000
SI5975DC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4143
SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SI5975DC-T1-E3 IC Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 997
SI5975DC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 15500
SI5975DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2673
SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays

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SI5975DC-T1-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI5975DC-T1-E3 Referenzpreis. SI5975DC-T1-E3 Parameter, SI5975DC-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI5975DC-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI5975DC-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI5975DC-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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