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SI6562CDQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.6W, 1.7W
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A, 6.1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI6562CD Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 40
SI6562CDQ-T1-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 3600
SI6562CDQ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3038
SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SI6562DQ VISHAY Spezialisierte heiße ICs 3000
SI6562DQ-T1 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 2688
SI6562DQ-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 882
SI6562DQ-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 1757
SI6562DQ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SI6562DQ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 19396

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SI6562CDQ-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI6562CDQ-T1-GE3 Referenzpreis. SI6562CDQ-T1-GE3 Parameter, SI6562CDQ-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI6562CDQ-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI6562CDQ-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI6562CDQ-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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