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SI6963BDQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-TSSOP
Power - Max 830mW
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI6963BDQ-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5284
SI6963BDQ-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5238
SI6963BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SI6963BDQ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 18442
SI6963BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SI6963DQ FAIRC Spezialisierte heiße ICs 2094
SI6963DQ-T SI Spezialisierte heiße ICs 2669
SI6963DQ-T1 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 35962
SI6963DQ-T1-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 8900
SI6963DQ-T1-GE3 VB Spezialisierte heiße ICs 6000

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SI6963BDQ-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI6963BDQ-T1-GE3 Referenzpreis. SI6963BDQ-T1-GE3 Parameter, SI6963BDQ-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI6963BDQ-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI6963BDQ-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI6963BDQ-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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