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SI7100DN-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3810pF @ 4V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 8V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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SI7100DN-T1-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI7100DN-T1-E3 Referenzpreis. SI7100DN-T1-E3 Parameter, SI7100DN-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI7100DN-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI7100DN-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI7100DN-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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