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SI7530DP-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.4W, 1.5W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A, 3.2A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 4.6A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI7530 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 887
SI7530DP SI Spezialisierte heiße ICs 40
SI7530DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2865
SI7530DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SI7530DP-T1-GE3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 7769

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SI7530DP-T1-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI7530DP-T1-E3 Referenzpreis. SI7530DP-T1-E3 Parameter, SI7530DP-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI7530DP-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI7530DP-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI7530DP-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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