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SI7718DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SI7716ADN | VISHAY | Spezialisierte heiße ICs | 1721 |
SI7716ADN-T1-E3 | VISHAY | Spezialisierte heiße ICs | 67108 |
SI7716ADN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 437812 |
SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1279 |
SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SI7716ADN-T1-GE3 IC | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 1144 |
SI7716ADN-T1-GE3 MOS | VBSEMI | Spezialisierte heiße ICs | 10495 |
SI7716ADN-T1-GE3 MOSFETIGBTIC | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 5162 |
SI7716ADN-TI-GE3 | VISHAY | Spezialisierte heiße ICs | 570 |
SI7716DN-T1-E3 | VISHAY | Spezialisierte heiße ICs | 16600 |
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