SI8810EDB-T2-E1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case 4-XFBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 4-Microfoot
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 245pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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