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SI8823EDB-T2-E1 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen III
Power Dissipation (Max) 900mW (Tc)
Package / Case 4-XFBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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SI8823EDB-T2-E1 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI8823EDB-T2-E1 Referenzpreis. SI8823EDB-T2-E1 Parameter, SI8823EDB-T2-E1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI8823EDB-T2-E1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI8823EDB-T2-E1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI8823EDB-T2-E1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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