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SI9926BDY-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.14W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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SI9926BDY-T1-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI9926BDY-T1-E3 Referenzpreis. SI9926BDY-T1-E3 Parameter, SI9926BDY-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI9926BDY-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI9926BDY-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI9926BDY-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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