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SIA910EDJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 7.8W
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 6V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIA910EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 24129
SIA910EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SIA910EDJ-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 572
SIA911ADJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2641
SIA911ADJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 32887
SIA911ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SIA911ADJ-T5-GE3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 18412
SIA911DJ-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 15420
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SIA910EDJ-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIA910EDJ-T1-GE3 Referenzpreis. SIA910EDJ-T1-GE3 Parameter, SIA910EDJ-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIA910EDJ-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIA910EDJ-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIA910EDJ-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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