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SIB410DK-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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SIB410DK-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIB410DK-T1-GE3 Referenzpreis. SIB410DK-T1-GE3 Parameter, SIB410DK-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIB410DK-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIB410DK-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIB410DK-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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