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SIB488DK-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 725pF @ 6V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SC-75-6L |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 8V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
SIB488DK-T1-GE3 Unterlagen
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-
Datenblätter
SIB488DK-T1-GE3.pdf
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIB488DK-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 364 |
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SIB488DK-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIB488DK-T1-GE3 Referenzpreis. SIB488DK-T1-GE3 Parameter, SIB488DK-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIB488DK-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIB488DK-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIB488DK-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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