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SIB911DK-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 8V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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SIB911DK-T1-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIB911DK-T1-E3 Referenzpreis. SIB911DK-T1-E3 Parameter, SIB911DK-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIB911DK-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIB911DK-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIB911DK-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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