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SIHD7N60E-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIHD7N60E-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2743
SIHD7N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3009
SIHD7N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 638
SIHD7N60E-GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
SIHD7N60ET4-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2735
SIHD7N60ET5-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2578

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SIHD7N60E-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIHD7N60E-E3 Referenzpreis. SIHD7N60E-E3 Parameter, SIHD7N60E-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHD7N60E-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHD7N60E-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHD7N60E-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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