SIHF10N40D-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 526pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
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