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SIHH11N60EF-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 357 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1078pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Power Dissipation (Max) 114W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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SIHH11N60EF-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIHH11N60EF-T1-GE3 Referenzpreis. SIHH11N60EF-T1-GE3 Parameter, SIHH11N60EF-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHH11N60EF-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHH11N60EF-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHH11N60EF-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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