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SIHP12N60E-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series E
Power Dissipation (Max) 147W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 937pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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SIHP12N60E-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIHP12N60E-GE3 Referenzpreis. SIHP12N60E-GE3 Parameter, SIHP12N60E-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHP12N60E-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHP12N60E-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHP12N60E-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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