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SIHU7N60E-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | I-Pak |
Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
SIHU7N60E-GE3 Unterlagen
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-
Datenblätter
SIHU7N60E-GE3.pdf
Andere schließen ein "SIHU7" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'SIHU7'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIHU7N60E-E3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2595 |
SIHU7N60E-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2789 |
SIHU7N60E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2686 |
SIHU7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren |
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SIHU7N60E-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIHU7N60E-GE3 Referenzpreis. SIHU7N60E-GE3 Parameter, SIHU7N60E-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHU7N60E-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHU7N60E-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHU7N60E-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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