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SIHW47N65E-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247AD
Power Dissipation (Max) 417W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 273nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 24A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5682pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIHW47N60E VISHAY Spezialisierte heiße ICs 2614
SIHW47N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2593
SIHW47N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 950
SIHW47N60E-GE3 IC Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 362
SIHW47N60EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2696
SIHW47N60EF-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2734
SIHW47N65E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2533

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SIHW47N65E-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIHW47N65E-GE3 Referenzpreis. SIHW47N65E-GE3 Parameter, SIHW47N65E-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHW47N65E-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHW47N65E-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHW47N65E-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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