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SIHW70N60EF-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 35A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AD
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIHW70N60EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 251
SIHW73N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2634
SIHW73N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2537

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SIHW70N60EF-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIHW70N60EF-GE3 Referenzpreis. SIHW70N60EF-GE3 Parameter, SIHW70N60EF-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHW70N60EF-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHW70N60EF-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHW70N60EF-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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