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SIJ462DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 20A, 10V |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 30V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46.5A(Tc) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIJ461DP-T1-GE3 | VISHAY | Spezialisierte heiße ICs | 2751 |
SIJ462DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 6000 |
SIJ462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren |
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SIJ462DP-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIJ462DP-T1-GE3 Referenzpreis. SIJ462DP-T1-GE3 Parameter, SIJ462DP-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIJ462DP-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIJ462DP-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIJ462DP-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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