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SIR664DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 20A, 10V
Package / Case PowerPAK® SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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SIR664DP-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIR664DP-T1-GE3 Referenzpreis. SIR664DP-T1-GE3 Parameter, SIR664DP-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIR664DP-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIR664DP-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIR664DP-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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