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SIR808DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9 mOhm @ 17A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 815pF @ 12.5V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 29.8W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIR800ADP-T1-GE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 9605
SIR800DP VB Spezialisierte heiße ICs 2356
SiR800DP-T1-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 13692
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SIR808DP-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIR808DP-T1-GE3 Referenzpreis. SIR808DP-T1-GE3 Parameter, SIR808DP-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIR808DP-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIR808DP-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIR808DP-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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