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SIUD403ED-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 500MA 0806

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen III
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case PowerPAK® 0806
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® 0806
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 Ohm @ 300mA, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 31pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
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SIUD403ED-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIUD403ED-T1-GE3 Referenzpreis. SIUD403ED-T1-GE3 Parameter, SIUD403ED-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIUD403ED-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIUD403ED-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIUD403ED-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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