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SIZ730DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 27W, 48W |
Package / Case | 6-PowerPair™ |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A, 35A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 6-PowerPair™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIZ730DT-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 3037 |
SIZ730DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistor Arrays |
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SIZ730DT-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIZ730DT-T1-GE3 Referenzpreis. SIZ730DT-T1-GE3 Parameter, SIZ730DT-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIZ730DT-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIZ730DT-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIZ730DT-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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