SIZ900DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 48W, 100W
Package / Case 6-PowerPair™
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A, 28A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-PowerPair™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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SIZ900DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5960
SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SIZ900DT-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 1132
SIZ902DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2768
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 7569
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SIZ902DT-T1-GE3 IC Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 501
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