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SIZ920DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 39W, 100W |
Package / Case | 6-PowerPair™ |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 6-PowerPair™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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-
Datenblätter
SIZ920DT-T1-GE3.pdf
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Die folgenden Teile umfassen 'SIZ92'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIZ920DP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 732 |
SIZ920DT-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 12258 |
SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistor Arrays | |
SIZ920DT-T1-GE3 IC | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 712 |
SIZ926DT-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2692 |
SIZ926DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistor Arrays |
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SIZ920DT-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIZ920DT-T1-GE3 Referenzpreis. SIZ920DT-T1-GE3 Parameter, SIZ920DT-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIZ920DT-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIZ920DT-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIZ920DT-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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