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SIZF906DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series TrenchFET® Gen IV
Power - Max 38W (Tc), 83W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAIR® 6x5F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TA)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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SIZF906DT-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIZF906DT-T1-GE3 Referenzpreis. SIZF906DT-T1-GE3 Parameter, SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIZF906DT-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIZF906DT-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIZF906DT-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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