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SQ2361AEES-T1_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 2.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TA)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 30V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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SQ2361AEES-T1_GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SQ2361AEES-T1_GE3 Referenzpreis. SQ2361AEES-T1_GE3 Parameter, SQ2361AEES-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQ2361AEES-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQ2361AEES-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQ2361AEES-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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