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SQ2389ES-T1_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CHAN 40V SO23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 20V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SQ2389ES Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 950
SQ2389ES-T1 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 3429
SQ2389ES-T1-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 2632
SQ2389ES-T1-GE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 723967
SQ2389ES-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3031
SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren

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SQ2389ES-T1_GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SQ2389ES-T1_GE3 Referenzpreis. SQ2389ES-T1_GE3 Parameter, SQ2389ES-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQ2389ES-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQ2389ES-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQ2389ES-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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