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SQ4401EY-T1_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 40V 17.3A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 7.14W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4250pF @ 20V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.3A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SQ4401DY-T1-GE3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 34638
SQ4401EY VISHAY Spezialisierte heiße ICs 5889
SQ4401EY-T1 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 21415
SQ4401EY-T1-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 14101
SQ4401EY-T1-GE3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 2337
SQ4401EY-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2932

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SQ4401EY-T1_GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SQ4401EY-T1_GE3 Referenzpreis. SQ4401EY-T1_GE3 Parameter, SQ4401EY-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQ4401EY-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQ4401EY-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQ4401EY-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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