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SQD50N04-09H-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4240pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SQD50A100 | SANREX | IGBT-Module | 2974 |
SQD50A60 | SANREX | IGBT-Module | 2703 |
SQD50A90 | SANREX | IGBT-Module | 2807 |
SQD50AA100 | SANREX | IGBT-Module | 2713 |
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SQD50BA100 | SANREX | IGBT-Module | 2570 |
SQD50BB75 | SANREX | IGBT-Module | 2610 |
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SQD50N04-09H-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SQD50N04-09H-GE3 Referenzpreis. SQD50N04-09H-GE3 Parameter, SQD50N04-09H-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQD50N04-09H-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQD50N04-09H-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQD50N04-09H-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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