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SQD50N06-09L_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 50A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3065pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SQD50A100 SANREX IGBT-Module 2974
SQD50A60 SANREX IGBT-Module 2703
SQD50A90 SANREX IGBT-Module 2807
SQD50AA100 SANREX IGBT-Module 2713
SQD50AB100 IGBT Module IGBT-Module 2744
SQD50AB90 SANREX IGBT-Module 2884
SQD50B90 SANREX IGBT-Module 2886
SQD50BA100 SANREX IGBT-Module 2570
SQD50BB75 SANREX IGBT-Module 2610
SQD50BB90 SanRex IGBT-Module 2280

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SQD50N06-09L_GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SQD50N06-09L_GE3 Referenzpreis. SQD50N06-09L_GE3 Parameter, SQD50N06-09L_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQD50N06-09L_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQD50N06-09L_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQD50N06-09L_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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