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SQJ463EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 40V 30A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5875pF @ 20V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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SQJ463EP-T1_GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SQJ463EP-T1_GE3 Referenzpreis. SQJ463EP-T1_GE3 Parameter, SQJ463EP-T1_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQJ463EP-T1_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQJ463EP-T1_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQJ463EP-T1_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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