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SQM40N10-30_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 40A TO263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3345pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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SQM40N10-30_GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SQM40N10-30_GE3 Referenzpreis. SQM40N10-30_GE3 Parameter, SQM40N10-30_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQM40N10-30_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQM40N10-30_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQM40N10-30_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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