VP0808B-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-39
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 880mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
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VP0808B Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2604
VP0808B Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2704
VP0808B-2 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2660
VP0808B-2 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2787
VP0808B-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2698
VP0808L VISHAY Spezialisierte heiße ICs 3475
VP0808L-G Micrel / Microchip Technology Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2670
VP0808L-G Microchip Technology Einzelne MOSFET-Transistoren
VP0808M VISHAY Spezialisierte heiße ICs 838

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