BYV25FD-600,118 Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer WeEn Semiconductors Co., Ltd
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 5A
Supplier Device Package DPAK
Reverse Recovery Time (trr) 35ns
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 50µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 5A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BYV25-600P NXP Spezialisierte heiße ICs 2626
BYV255V-200 STMicroelectronics Dioden - Gleichrichter - Arrays 2926
BYV255V100 ST IGBT-Module 2709
BYV255V150 ST IGBT-Module 2966
BYV255V200 ST IGBT-Module 2803
BYV255V300 ST IGBT-Module 2718
BYV255V400 ST IGBT-Module 2770
BYV255V50 ST IGBT-Module 2783
BYV255V600 ST IGBT-Module 2682
BYV255V700 ST IGBT-Module 2594

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