W632GU8AB-11 Technische Spezifikationen

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Winbond Electronics Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - DDR3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 2Gb (128M x 16)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns
Access Time 20ns
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.283 V ~ 1.45 V
Operating Temperature 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 933MHz
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W632GG6AB-12 Winbond Electronics Corporation Erinnerung 2573
W632GG6AB-15 Winbond Electronics Corporation Erinnerung 2739
W632GG6KB-09 Winbond Electronics Corporation Erinnerung 2790
W632GG6KB-11 Winbond Electronics Corporation Erinnerung 2680
W632GG6KB-11 TR Winbond Electronics Corporation Erinnerung 2607
W632GG6KB-12 Winbond Electronics Corporation Erinnerung 758
W632GG6KB-12 IC Winbond Electronics Corporation Spezialisierte heiße ICs 714
W632GG6KB-12 TR Winbond Electronics Corporation Erinnerung 2679
W632GG6KB-15 Winbond Electronics Corporation Erinnerung 1346
W632GG6KB-15 IC Winbond Electronics Corporation Spezialisierte heiße ICs 414

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