W948D2FBJX5E Technische Spezifikationen

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Winbond Electronics Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Technology SDRAM - Mobile LPDDR
Packaging Tray
Operating Temperature -25°C ~ 85°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 256Mb (8M x 32)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
Access Time 5ns
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Supplier Device Package 90-VFBGA (8x13)
Package / Case 90-TFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 200MHz
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