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FDP10N60NZ Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET-II™
Power Dissipation (Max) 185W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1475pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDP100N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 30533
FDP100N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 30533
FDP100N10 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDP10AN06A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 21444
FDP10AN06A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 26399
FDP10AN06AO Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 32365
FDP10N60NZ Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10632
FDP10N60NZ ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDP10N60NZ MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5322

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