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FDP100N10 Technische Spezifikationen

FDP100N10 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 10MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 208W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 115 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Length 10.67mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 208W
Turn On Delay Time 70 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 265ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 125 ns
Threshold Voltage 2.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 16.51mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDP100N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 30533
FDP100N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 30533
FDP10AN06A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 21444
FDP10AN06A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 26399
FDP10AN06AO Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 32365
FDP10N60NZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 28983
FDP10N60NZ Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10632
FDP10N60NZ ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDP10N60NZ MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5322

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