FDP8030L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 80A TO220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 187W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tube
Other Names FDP8030L-ND FDP8030LFS
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3
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