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FDP80N06 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3190pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 80A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220-3
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FDP8030A FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 32363
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FDP8030L ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDP8030L MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 393
FDP8030LTM FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2533
FDP80N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 34502
FDP80N06 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDP80N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 22870

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FDP80N06 Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FDP80N06 Referenzpreis. FDP80N06 Parameter, FDP80N06 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FDP80N06 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FDP80N06 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FDP80N06 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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