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FGAF20N60SMD Technische Spezifikationen

IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 452µJ (on), 141µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 26.7ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 64nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 12ns/91ns
Supplier Device Package TO-3PF
Power - Max 75W
Package / Case SC-94
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Field Stop
Detailed Description IGBT Field Stop 600V 40A 75W Through Hole TO-3PF
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
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FGAF20N60SMD Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 5375
FGAF20N60SMD ON Semiconductor Einzelne IGBTs

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