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FGAF20N60SMD Technische Spezifikationen

IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Weight 6.962g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 75W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application MOTOR CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 26.7 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.9V
Test Condition 400V, 20A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 109 ns
Gate Charge 64nC
Td (on/off) @ 25°C 12ns/91ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 27ns
Length 15.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Power - Max 75W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 40A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A
IGBT Type Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Switching Energy 452μJ (on), 141μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Height 26.7mm
Width 3.2mm
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FGAF20N60SMD Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 5375
FGAF20N60SMD AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 5396

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