FGPF70N30TTU Technische Spezifikationen

IGBT 300V 49.2W TO220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Test Condition -
Switching Energy -
Power - Max 49.2W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench
Detailed Description IGBT Trench 300V 49.2W Through Hole TO-220F
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-220F
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 125nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
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FGPF70N30 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 14888
FGPF70N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 14888
FGPF70N30 ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGPF70N30T FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 2580
FGPF70N30TD FSC Spezialisierte heiße ICs 10
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FGPF70N30TTU Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs

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