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FGPF70N30TDTU Technische Spezifikationen

IGBT 300V 49.2W TO220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 49.2W
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 21ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A
Gate Charge 125nC
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300V
Collector Emitter Breakdown Voltage 300V
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FGPF70N30 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 14888
FGPF70N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 14888
FGPF70N30 ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGPF70N30T FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 2580
FGPF70N30TD FSC Spezialisierte heiße ICs 10
FGPF70N30TDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2732
FGPF70N30TDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 0
FGPF70N30TTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2546
FGPF70N30TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2592
FGPF70N30TTU Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs

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